采用單晶硅壓阻技術,性能穩定,精度可達0.075%FS;
高過載保護膜片,實現大壓力過載保護功能;
采用高性能 EMC 防護電路模塊,有效降低電磁擾動對產品的輸出影響;
穩定性強可(ke)達 ±0.1%SPAN/5 年。
采用單晶硅壓阻技術,性能穩定,精度可達±0.075%FS + 隔膜系統的影響;
高過載保護膜片,實現大壓力過載保護功能;
采用高性能 EMC 防(fang)護電(dian)路(lu)模塊,有效降低電(dian)磁(ci)擾(rao)動(dong)對產品的輸出(chu)影響(xiang)。
采用單晶硅壓阻技術,性能穩定,精度可達0.075%FS + 隔膜系統的影響;
高過載保護膜片,實現大壓力過載保護功能;
采用高性能(neng) EMC 防護電路(lu)模塊,有效降(jiang)低電磁擾(rao)動對(dui)產品(pin)的輸出影(ying)響。
采用單晶硅壓阻技術,性能穩定,精度可達0.1%FS;
高過載保護膜片,實現大壓力過載保護功能;
采用高性能 EMC 防護電路模塊,有效降低電磁擾動對產品(pin)的(de)輸出影響。
采用單晶硅壓阻技術,性能穩定,精度可達0.075%FS;
高過載保護膜片,實現大壓力過載保護功能;
采用高性能 EMC 防護電路模塊,有效降低電磁擾動對產品的輸出影響;
穩定性強可達 ±0.1%SPAN/5 年。
19--------m.sziyie.com
231--------m.av-conferencing.com
164--------m.645870.com
718--------m.itslnw.com
284--------m.taihebang.com