采用單晶硅壓阻技術，性能穩定，精度可達 0.05%FS；
最高 100：1 量程比，測量范圍調整靈活；
采用高性能 EMC 防護電路模塊，有效降低電磁擾動對產品的輸出影響；
穩定性強(qiang)可達 ±0.1%SPAN/5 年(nian)。
采用單晶硅壓阻技術，性能穩定，精度可達±0.075%FS + 隔膜系統的影響；
高過載保護膜片，實現大壓力過載保護功能；
采用高性能 EMC 防護(hu)電路模塊，有效降低電磁擾動(dong)對產品的輸(shu)出影響。
采用單晶硅壓阻技術，性能穩定，精度可達0.075%FS + 隔膜系統的影響；
高過載保護膜片，實現大壓力過載保護功能；
采用高性能 EMC 防護電(dian)路模(mo)塊，有效降低(di)電(dian)磁擾動對產(chan)品的輸出影響。
采用單晶硅壓阻技術，性能穩定，精度可達0.1%FS；
高過載保護膜片，實現大壓力過載保護功能；
采用(yong)高性(xing)能 EMC 防護電(dian)路模(mo)塊，有效降低(di)電(dian)磁(ci)擾動(dong)對產品的輸出(chu)影響。
采用單晶硅壓阻技術，性能穩定，精度可達0.075%FS；
高過載保護膜片，實現大壓力過載保護功能；
采用高性能 EMC 防護電路模塊，有效降低電磁擾動對產品的輸出影響；
穩定性強可達 ±0.1%SPAN/5 年。
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